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分子束外延性能介紹
日期：2024-08-15 23:41
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摘要：
分子束外延性能介紹
（1）生長速率極慢，大約1um/小時，相當(dāng)于每秒生長一個單原子層，因此有利于實現(xiàn)**控制厚度、結(jié)構(gòu)與成分和形成陡峭的異質(zhì)結(jié)構(gòu)等。實際上是一種原子級的加工技術(shù)，因此MBE特別適于生長超晶格材料。
（1）生長速率極慢，大約1um/小時，相當(dāng)于每秒生長一個單原子層，因此有利于實現(xiàn)**控制厚度、結(jié)構(gòu)與成分和形成陡峭的異質(zhì)結(jié)構(gòu)等。實際上是一種原子級的加工技術(shù)，因此MBE特別適于生長超晶格材料。
（2）外延生長的溫度低，因此降低了界面上熱膨脹引入的晶格失配效應(yīng)和襯底雜質(zhì)對外延層的自摻雜擴散影響。
（3）由于生長是在超高真空中進行的，襯底表面經(jīng)過處理可成為完全清潔的，在外延過程中可避免沾污，因而能生長出質(zhì)量極好的外延層。在分子束外延裝置中，一般還附有用以檢測表面結(jié)構(gòu)、成分和真空殘余氣體的儀器，可以隨時監(jiān)控外延層的成分和結(jié)構(gòu)的完整性，有利于科學(xué)研究.
（4）MBE是一個動力學(xué)過程，即將入射的中性粒子（原子或分子）一個一個地堆積在襯底上進行生長，而不是一個熱力學(xué)過程，所以它可以生長按照普通熱平衡生長方法難以生長的薄膜。
（5）MBE是一個超高真空的物理沉積過程，既不需要考慮中間化學(xué)反應(yīng)，又不受質(zhì)量傳輸?shù)挠绊懀⑶依每扉T可以對生長和中斷進行瞬時控制。因此，膜的組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調(diào)整。
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