影響分子束外延的因素有哪些

日期：2024-08-15 23:42

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摘要：

影響分子束外延的因素：

1、壓力的影響

在10-3帕真空度下，在1秒鐘時間內殘余氣體的單原于層就能夠覆蓋臂開的表面，如果在10-5到10-7Pa真空條件下臂開并且馬上進行蒸鍍，那么應當更進一步地降低外延溫度，然而通過實驗證明，并不是這樣，例如M和A在高真空下進行外延蒸鍍與在超高真空下進行外延蒸鍍，它們的結果的差別并沒有很大。但是銅、銀和金在超高真空下，使(001)面平行于基片，那么單晶膜的生成就會變得相當困難，這表明對銅、銀和金進行外延蒸鍍時，還需要對基片表面進行適用的處理。

2、蒸發(fā)速度的影響

若對蒸發(fā)速度進行降低也會降低碲的外延溫度，將金蒸鍍外延于氯化鈉時，也會降低氯化鈉上面的平行方位的蒸發(fā)速度，就能夠在較低的基片溫度下進行晶體外延。

3、外延溫度的影響

為了導致外延，基片的溫度應當達到某一溫度值，那么加熱超過外延溫度就變得相當有必要。并且外延溫度還和其他的條件相關。當條件不一樣時，外延溫度也會存在差異。

4、基片結晶的臂開的影響

在以往的常規(guī)研究方面，基片結晶是在大氣下臂開（機械折斷使得結晶面產生）之后往真空裝置中放入來對外延單晶膜進行制取。晶面如果臂開就馬上進行制膜的方法已經被研究了。因為該兩種方法有所差異，因此其外延溫度也不一樣。在真空下臂開基片結晶會導致處延臨界溫度的值不同。

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